安世中国开放日披露的产线迭代进展

安世中国在线上集中发布一批基于12英寸工艺平台的新产品不到一个月后，公司举行媒体开放日，近日，媒体受邀约来到生产现场。在这场探访的现场交流中，三条产品线的迭代进展被集中披露，让外界看到产品搬上12英寸平台后具体走到了哪一步。

MOSFET是探访中披露进展较快的方向之一。公司基于12英寸工艺平台，重新搭建了SGT工艺平台，新一代产品从40V继续向80V、100V延伸，应用方向包括新能源汽车、AI服务器和机器人等48V供电场景。现场工程师表示，迁到12英寸以后，产品设计、工艺和制造平台都需要重新适配，MOSFET的SGT工艺平台是从底层重新搭建的，而非沿用原有小尺寸平台的工艺。

逻辑芯片更能体现这次迁移的规模。据安世中国方面介绍，目前基于12英寸平台量产逻辑芯片料号已经超过1300颗，覆盖消费电子、工业、汽车和AI等应用。按照目前的计划，预计今年四季度将完成接近3000颗存量产品的平台迭代。从1300颗到接近3000颗，意味着逻辑芯片的平台迁移仍将持续推进一段时间。

双极性器件是另一个在探访中被重点提及的方向。二极管、三极管本身并不是新的芯片品类，而是电子设备里使用时间很长、出货量很大的基础器件，过去大量产品长期留在6英寸和8英寸平台。安世中国方面表示，目前已经实现部分12英寸晶圆双极性二极管、三极管的研发设计和量产，同时开始对原有制程产品进行新一轮迭代，已有数十个核心平台完成新品开发或进入研发阶段。双极性器件的迁移，也折射出这次平台切换的覆盖面——不只是热门的功率器件，连长期留在小尺寸平台的基础器件也被纳入12英寸体系，足见重构的范围之广。

在迭代升级老产品的同时，新产品也在继续增加。安世中国正在推进1200V FS8系列IGBT的可靠性验证，MOSFET继续向更高电压区间扩展。这些进展并非孤立的技术更新，而是伴随12英寸平台导入一同推进。

在8月23日的线上产品发布会上，MOSFET、逻辑IC和双极性分立器件是安世中国重点展示的三条产品线，但到了生产端，不同产品的升级速度并不完全一致。从现场交流来看，目前走得更快的仍然是MOSFET、IGBT等功率器件，逻辑芯片和双极性则随着平台开发和验证完成逐步导入。安世中国方面表示，国内供应链在最近几个月逐渐形成闭环，目前产能和产品仍处在爬坡阶段。这种节奏差，也是探访中披露进展时反复被提及的背景。

从40V向80V、100V延伸，对应的是新能源汽车、AI服务器和机器人等48V供电场景的需求变化。现场工程师介绍，新一代MOSFET的电压区间上移，并非对原有产品的简单放大，而是伴随12英寸SGT工艺平台重新搭建而同步定义的。逻辑料号从超1300颗向接近3000颗推进、双极性数十个核心平台进入开发或研发，则从规模层面说明这次迭代的体量。

这场开放日披露的产线迭代进展，主线是清晰且克制的：功率器件走得更快，逻辑与双极性陆续跟进，新产品同步延伸。探访没有给出夸张的定性，而是用具体的电压区间、料号数量和平台数量，呈现了产品搬上12英寸平台后的真实进度。

标签：