海力士推UFS 2.0高速闪存：专为旗舰手机打造

10日SK海力士宣布，已经开发出基于自家16nm NAND闪存和自家固件、控制器的UFS 2.0标准存储方案，容量有16GB、32GB、64GB、128GB等多种选择，专为当今旗舰手机打造。

其中，32GB、64GB已经开始出货，16GB的本季度内供应，128GB第四季度跟上。

三星Galaxy S6第一个用上了UFS 2.0标准的存储方案，事实证明它确实比传统的eMMC方案性能好得多，而且更具发展潜力。

性能方面，海力士宣称持续读取速度可高达780MB/s(SATA固态硬盘也望尘莫及啊)，持续写入也能有160MB/s，而随机读写最高分别为32000 IOPS、17000 IOPS，其中读取速度相当于eMMC 5.1的大约三倍。

UFS 2.0支持High-Speed Gear 3高速接口和双数据通道，还引入了固态硬盘里的Command Queue(指令队列)技术，可同时操作读写指令，避免多任务瓶颈，提高数据传输效率，功耗也低于eMMC。

市调机构IHS预计，UFS今年能在移动存储市场上占据4％的份额，2017年迅速提升到23％，2019年可达49％。