ALD原子层沉积镀膜技术与服务体系

一、行业背景与工艺定位

原子层沉积（ALD-Atomic Layer Deposition） 是基于自限制表面反应的薄膜沉积技术，通过气相前驱体脉冲交替在基底表面逐层形成纳米级薄膜。区别于CVD的连续沉积，ALD具备原子级厚度控制、优异三维共形性与高深宽比覆盖能力，已成为28nm及以下逻辑栅介质、DRAM电容器等关键工艺环节的主流选择。

二、技术服务体系

介质薄膜沉积

基于热ALD与等离子体增强ALD（PEALD）双工艺路线，膜厚精度达纳米量级。可加工材料包括：

· Al₂O₃薄膜（ALD-Al₂O₃）：高k介质与钝化层。

· HfO₂薄膜（ALD-HfO₂）：高k栅介质，适配先进逻辑工艺。

· ZrO₂薄膜（ALD-ZrO₂）：高k介质，用于铁电存储。

· TiO₂薄膜（ALD-TiO₂）：高折射率光学薄膜与光催化层。

· ZnO薄膜（ALD-ZnO）：透明导电与压电材料。

· In₂O₃薄膜（ALD-In₂O₃）：透明导电氧化物材料。

· SiO₂薄膜（ALD-SiO₂）：钝化层与栅介质层。

· AlN薄膜（ALD-AlN）：压电器件与散热层。

· TiN薄膜（ALD-TiN）：扩散阻挡层与金属栅电极。

高深宽比结构共形镀膜

· TSV深孔共形镀膜（TSV Conformal ALD）：在深宽比超50:1的硅通孔内实现共形介质沉积。

· MEMS沟槽共形镀膜（MEMS Conformal ALD）：为MEMS高深宽比沟槽与悬空结构提供致密钝化层。

· 配套工艺链：版图设计、晶圆清洗、光刻、刻蚀、薄膜沉积、晶圆键合、切割、测试等服务，覆盖2-8英寸晶圆规格。

三、服务流程

1. 需求对接：收集客户器件结构、薄膜指标与晶圆规格，明确工艺路线。

2. 方案设计：设计前驱体选型、沉积温度、循环次数等关键参数方案。

3. 样品试制：试制首片样品并完成膜厚、成分、均匀性等表征。

4. 工艺定型：根据反馈调整参数，固化可重复工艺窗口。

5. 批量交付：交付小中批量产品并提供持续工艺支撑。

四、质量保障与能力储备

· 洁净室设施（Cleanroom Facility）：等级涵盖百级、千级、万级，研发基地5000平方米。

· 设备资源（Equipment）：覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、键合、测试等微纳加工设备。

· 工艺积累（Expertise）：10年以上器件制备工艺经验。

· 服务规模（Service Scale）：累计服务1000+家企业、高校与科研院所，成功案例5000+项，覆盖全国23个省市及部分海外地区。

· 交付效率（Delivery）：定制化需求2-3个工作日内完成样品交付，配套售后支持。

五、厚度虽微，价值可观

薄膜制造的进步，往往体现在纳米甚至原子级的细微差异之中。ALD镀膜以逐层可控的沉积方式，回应了微纳器件对薄膜均匀性与致密性日益提升的要求，也为高深宽比结构、多材料基底的工艺适配提供了新的技术路径。

无论是光通信器件的介质层设计，还是MEMS传感器的结构薄膜制备，亦或是半导体照明器件的钝化层探索——原子层级的沉积能力，正在为不同行业的技术转化提供支撑。

如有需求可联系广东省科学院半导体研究所微纳加工平台技术团队，就ALD镀膜及相关微纳加工工艺需求进行沟通交流。

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