长鑫科技首登“全球百强创新机构”，中国存储芯片获国际权威认证

　　2026年1月，中国存储芯片领军企业长鑫科技首次入选科睿唯安(Clarivate)发布的“全球百强创新机构(Top 100 Global Innovators 2026)”榜单。

　　

　　自2012年设立以来，“全球百强创新机构”榜单以严苛标准著称，评估维度涵盖专利质量与数量、技术影响力、全球化布局、创新持续性及对产业的实际推动作用。能跻身其中的，无一不是各自领域的全球技术引领者。

　　过去，华为、腾讯等中国企业多次登榜，但半导体制造，尤其是DRAM领域，始终是中国创新版图上的空白。此次长鑫的入围，填补了这一关键缺口，也向世界传递出一个清晰信号：中国在高端芯片自主创新的深水区，已真正扎下根来。

　　与长鑫一同上榜的还有腾讯、华为、京东方、宁德时代、中兴、TCL六家中国企业，覆盖通信、显示、新能源与AI等前沿赛道。这七家企业的集体亮相，恰是中国硬科技崛起的缩影。而长鑫作为其中唯一的半导体存储代表，其入选更具重要意义，它证明中国不仅能做应用创新，也能在底层硬件、基础材料和核心工艺上实现系统性突破。

　　全球百强首现中国DRAM身影，长鑫填补关键空白

　　支撑相关创新突破的，是长鑫多年如一日的高强度研发投入与扎实的知识产权积累。截至2025年6月底，公司已拥有5589项境内外专利，覆盖DRAM设计、制程、封装、测试等全链条。更重要的是，这些专利并非“纸面成果”，而是迅速转化为具有国际竞争力的产品。

　　

　　2019年，长鑫推出首款自主8Gb DDR4芯片，打破国产DRAM“零”的历史;此后，其产品迭代速度不断加快，先后实现多款“国产首款”落地。如今，其最新LPDDR5X内存速率已达10667 Mbps，较前代提升66%，功耗显著降低，完全满足高端智能手机、AI PC等终端对高速低功耗的严苛要求;DDR5产品则以8000 Mbps速率、单颗24Gb容量，广泛适配服务器与数据中心场景。性能指标已稳居国际第一梯队。

　　这种“研发—专利—产品—市场”的正向循环，正是科睿唯安认可长鑫的核心原因。榜单评价指出，长鑫“专注于DRAM存储技术的自主研发与创新，为全球电子产业链提供关键支撑”，这不仅是对其技术实力的肯定，更是对其产业价值的确认。在全球供应链日益脆弱的背景下，一个具备完整IDM(设计-制造-封测一体化)能力的本土DRAM供应商，对保障中国乃至全球智能终端、汽车、服务器等关键产业的安全稳定，具有不可替代的战略意义。

　　科创板IPO推进中，自主创新进入收获期

　　值得注意的是，长鑫的创新突破并非孤立事件，而是与中国科技产业升级同频共振。目前，公司科创板IPO申请已于2025年12月获上交所正式受理。招股书显示，募集资金将主要用于先进DRAM技术研发与产能扩张。而在财务数据背后，更值得关注的是其研发投入强度：2022至2025年上半年，累计投入超188亿元，占营收比重达33.11%;仅2025年上半年，研发费用率就高达23.71%，远超行业平均水平。这种“重研发、长周期、高投入”的模式，在高度周期化的存储行业尤为罕见，也彰显了其打造长期技术壁垒的决心。

　　作为国产DRAM的“链主”企业，长鑫的崛起正在带动整个产业链升级。其产品已进入小米、OPPO、vivo、传音等主流手机品牌供应链，并与国内AI芯片、智能汽车、服务器厂商深度协同。这种本地化生态合作，不仅加速了技术适配与产品优化，更推动上游设备、材料及下游应用端形成创新合力。未来，随着AI算力需求爆发、端侧智能设备普及，高性能DRAM将成为“新水电煤”。而长鑫凭借IDM模式与快速响应能力，有望在这一轮全球存储格局重塑中占据关键位置。

　　业内人士普遍认为，此次入选“全球百强创新机构”，不仅是对长鑫过去成就的认可，更是对其未来潜力的投票。在全球半导体产业加速重构的背景下，中国需要更多像长鑫这样敢于攻坚“卡脖子”环节的企业。它的成功证明：核心技术买不来、要不来，唯有坚持自主创新，才能在全球科技竞争中赢得话语权。

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