A股4000点助攻！国产DRAM IDM“独苗”长鑫科技上市在即

1月5日，A股市场迎来新年开门红时刻——上证指数在时隔34个交易日后，盘中重回4000点关口。半导体产业链震荡拉升，设备、材料、晶圆代工方向均表现不俗。东微半导、矽电股份、中微公司涨超10%，华虹公司、中芯国际、拓荆科技、华海清科等跟涨。存储芯片概念走强，雷科防务涨停，江波龙涨超13%，上海新阳涨超12%，普冉股份涨超11%，兆易创新涨超9%。

在半导体板块的火热行情与牛市氛围下，国产DRAM龙头企业长鑫科技科创板IPO申请获受理的消息更是引发市场多方高度关注，其招股书披露的核心信息，不仅勾勒出企业自身的成长轨迹，更折射出国产存储产业的破局之路。

A股DRAM IDM“独苗”上市在即

市场关注焦点在于，若长鑫科技成功登陆科创板，将填补A股市场DRAM IDM（垂直整合制造）企业的关键空白，成为A股市场中唯一覆盖DRAM芯片设计、晶圆制造、封装测试全产业链的上市企业，这一标的的稀缺属性在当前资本市场中显得尤为突出。

在半导体行业内，DRAM属于技术壁垒高、市场集中度高的“双高”赛道，而IDM模式因覆盖全产业链环节，对资金壁垒、技术积累及产能管理均提出极高要求，全球范围内仅三星、SK海力士、美光三家巨头能够实现稳定运营，头部厂商在成长期也均经历了长期的资金投入才能逐步建立起市场竞争力。

回到国内市场，有部分企业如北京君正、东芯半导体等，虽涉足DRAM业务，但大多聚焦于前端的芯片设计环节，并不具备全产业链整合能力。长鑫科技作为中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发、设计、制造一体化企业，在合肥、北京两地建有3座12英寸DRAM晶圆厂，已形成DDR系列、LPDDR系列多元化产品矩阵，可匹配服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等多领域的应用需求，其市场定位难以被替代。

从市场格局来看，全球DRAM市场长期由三大巨头主导，2024年三星、SK海力士、美光合计占据超90%的市场份额。通过持续的研发投入和产品迭代，长鑫科技在成立十年的时间里快速追赶，并已跻身全球第四大DRAM厂商，2025年第二季度全球市场份额提升至3.97%，成为国产DRAM产业的中坚力量。在AI浪潮驱动存储需求持续释放的背景下，这一稀缺标的大概率将持续吸引资本市场关注。

“战略定力”穿越下行周期，盈利拐点悄然已至

半导体产业从未脱离周期性波动规律，同时兼具重资产、高投入、技术迭代迅速的行业特征，因此企业在发展初期，尤其是产能爬坡与技术升级并行的阶段出现亏损，属于行业内的普遍情况。即便是如今领先的存储巨头，其成长之路也并非坦途：三星半导体在20世纪80年代曾连续亏损近十年，全靠集团持续输血才实现扭亏为盈；SK海力士自1983年涉足DRAM领域后，长期深陷亏损泥潭，直至1992年才首次尝到盈利的滋味。这些行业巨头即便手握长期技术积累和巨大的资金投入，仍需耗费十年左右时间才能艰难穿越“周期低谷”。

时间来到2023年，DRAM行业进入深度调整周期，产品市场价格暴跌，而当时正处于产能爬坡关键期的长鑫科技，受巨额固定资产折旧和研发投入的双重压力，同样陷入亏损境地，净利润-192.25亿元。但面临DRAM行业的快速迭代和激烈竞争，只有穿越“死亡之谷”的坚定投入才能构建起竞争能力，长鑫科技也展现出了在研发方面长期坚定的战略定力，2022年至2025年上半年，累计研发投入达188.67亿元，占累计营业收入的33.11%，2025年上半年研发费用率为23.71%，显著高于行业头部的平均水平。

不过凭借扎实的抗风险能力和精准的战略布局，长鑫在2025年即已实现利润转正，盈利拐点已然明确，这一扭亏节奏明显快于国际巨头的初期发展进程。招股书显示，2022年至2024年，长鑫科技营收分别为82.87亿元、90.87亿元及241.78亿元。而2025年1-9月，营收直接跃升至320.84亿元，同比增长近100%，已然大幅超越2024年全年营收规模。

相较于营收增长，盈利端的转折更具标志性意义。2025年，长鑫科技预计全年净利润将实现20亿元至35亿元的正向增长，扣非归母净利润预计在28亿元至30亿元之间，实现根本性的盈利反转。

这一盈利跨越，标志着身为全球第四大DRAM厂商的长鑫科技已成功走出行业周期低谷，经营杠杆与规模效应开始逐步释放。招股书进一步显示，若2026年市场均价能维持在2025年9月的水平，伴随产能稳步提升，公司有望实现稳健盈利，正式迈入业绩兑现的全新阶段。

短期亏损是存储芯片行业的周期性特征。对长鑫科技这样的硬科技企业，市场估值早已超越短期利润，更看重其突破产业壁垒的长期价值。盈利拐点的确立，正将其稀缺地位加速转化为增长动能。

“顶流”实力：从技术空白到产品性能跻身一线

2016年成立以来，长鑫科技仅用不到十年的时间，便完成了国际头部企业数十年才走完的技术积累之路，实现了中国大陆DRAM产业从“技术空白”到“近乎追平国际头部水平”的历史性跨越。

在长鑫科技成立之初，国内DRAM核心领域处于空白状态。长鑫科技采用“跳代研发”的策略，2019年9月首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现国产DRAM“从零到一”的突破；此后快速推进产品迭代，2025年年底先后推出最新产品LPDDR5X和DDR5，LPDDR5X系列产品速率更是突破10667Mbps，较上一代提升66%；推出首款国产DDR5产品速率高达8000Mbps，单颗最大容量24Gb。最新产品性能均处于国际领先梯队。

截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中境内专利3116项、境外专利2473项。同时，由4653名研发人员组成的核心团队（占员工总数超30%），正持续推动企业向技术深水区探索。

在当前A股半导体热潮与牛市氛围的双重加持下，长鑫科技的IPO进程备受市场关注。作为A股唯一的DRAM IDM稀缺标的，叠加盈利拐点显现与技术持续突破的双重优势，长鑫科技不仅在IPO阶段即已获得资本市场的高度关注与众多明星股东的认可，得益于IDM模式的整合能力，其上市后紧随而来的快速发展期也将直接撬动包括设备、材料、封测等在内的诸多供应链板块，进一步加速中国半导体产业链的高质量自主进程。

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